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中芯国际年底量产7nm工艺?官方道出真相 [复制链接]

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离线绪春晖
 

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      日前中芯国际联席CEO梁孟松士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况,透露N+1工艺相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%,SoC面积缩小55%,之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。
      
      业界普遍认为,中芯国际N+1工艺相当于台积电第一代7nm工艺,N+2则相当于台积电7nm+,重点在提升性能,年底即可量产。
      
      今天,中芯国际相关人士详细解释了N+1工艺,也澄清了一些误会。
      
      首先需要强调的是,N+1是中芯国际的内部代号,并不等于7nm。
      
      据介绍,中芯国际N+1工艺在去年第四季度完成流片,目前正处于客户产品验证阶段,预计第四季度有限量产。
      
      与市场上的7nm相比,中芯国际N+1在功耗、稳定性方面非常相似,唯一的区别就是性能,N+1的性能比14nm提高了约20%,但市场基准提升幅度是35%,所以有差距,但这也是唯一的差距。
      
      如果是从功耗、稳定性方面而言,可以将中芯国际N+1称为7nm,而在性能方面确实要比7nm差。
      
      中芯国际对N+1的目标是低成本应用,可以将成本相对市场上的7nm减少大约10%,因此是一个非常特殊的工艺节点。
      
      从中芯国际的表态看,N+1更类似于台积电、三星的10nm,或者有点像三星的8nm,因为20%的性能提升幅度远低于台积电预计的30%、实际的35%。
      
      至于N+2工艺,与市场7nm更为接近,尤其是稳定性,但是性能仍然略逊一筹。
      
      另外随着台积电、三星陆续导入EUV极紫外光刻,中芯国际也在加速推进,但是梁孟松曾明确表示,
      
      中芯国际无需EUV就能达成7nm,当然后续的5nm、3nm是必须要有EUV的。
      
      其实,台积电第一代7nm也没有用EUV而是继续传统DUV,7nm+才有限导入EUV,几十层光罩中只有几层使用。
      

      
      
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